Fertigungsabläufe – eins. semi-additiv

	Abb. 1: Das einseitig mit einer Grund-Kupferschicht bedeckte Basismaterial wird gebohrt
	Abb. 2: Auf die Platine wird vollflächig unter hohem Druck bei hoher Temperatur ein Fotolaminat aufgebracht. Dieses wird mittels UV-Licht über einen Film strukturiert. Die späteren Leiterbahnen und Pads werden dabei im Fotoresist freigespart.
	Abb. 3: In den im Fotoresist freien Bereichen wird auf galvanischem Wege auf die Grund-Kupferschicht. Die Kontaktierung sowie der Stromfluß erfolgt über das Basiskupfer. Anschließend wird über die Kupferschicht auf galvanischem Wege Zinn als Ätzreserve aufgebracht.
	Abb. 4: Der Fotoresist wird jetzt entfernt (gestrippt)
	Abb. 5: Die Leiterplatte wird in diesem Stadium geätzt. Die Zinnschicht dient dabei als Ätzresist.
	Abb. 6: Nunmehr kann die Zinnschicht entfernt werden
	Abb. 7: Der Lötstoplack wird in diesem Stadium als Fotolack vollflächig aufgetragen und anschließend nach einer Fotostrukturierung partiell wieder entfernt.
	Abb. 8: Zur Erhaltung der Lötbarkeit kann die Platine nunmehr partiell oberflächenbeschichtet werden. Üblich ist HAL: Die Platine wird in flüssiges Zinn getaucht und beim Herausziehen wird mit heißer Luft das überschüssige Zinn abgeblasen.